咸阳唯品会套现开放展魅力，唯品会提现经济合作大单

前段时间中兴所遭遇的芯片禁令，相信也让国人感受到了一颗小芯片的分量，而中兴在受到“定向打击”后所释放的信号更是令IT企业感到寒意袭人，一场关于中国缺“芯”的争论也就此展开。

　　问题的背后必然隐藏着深层次的原因，让我们突然意识到被“卡脖子”的芯片技术是如何陷入困境当中的？未来又有无完善的应对方法呢？

　　就此，本文对中国芯片产业从无到有的60年发展历程进行了全方位的回顾，透过集成电路的世纪变迁并与美、日、韩等国的崛起之路进行对比，为您多维度的解读中国芯片的困境所在及未来的破解之道。

　　从落后5年到落后20年

　　新中国成立时，全中国只有几个比较像样的有线电和无线电工厂，日式机床不到1000台，生产能力和技术水平几乎为零。

　　1951年10月底，中苏第二届商务谈判在莫斯科举行。中方代表团成员向当时与中国关系密切的苏方探寻援建电子管、无线电元件和交换机生产厂的可行性。

　　结果，援建电子管厂和交换机厂的动议顺利通过，但电子元件厂却被苏方拒绝，理由说来倒也简单：“援助电子管厂是可以的。至于无线电元件，连我们的工厂都是民主德国帮着建起来的，你们去请他们帮忙吧”

　　1952年，民主德国方面尽最大的努力，给中国提供了种类和规格繁多的产品，最终确定引进18家单位的80多项产品，初步核算需要1.4亿元。

　　随后，中方在北京酒仙桥筹建北京电子管厂（即现在的北京京东方公司）、由民主德国提供技术援助。该厂总投资1亿元，年产1220万只，是亚洲最大的电子管厂。除此之外，酒仙桥还建起了规模庞大的北京电机总厂、华北无线电器材联合厂、北京有线电厂及华北光电技术研究所等单位。

　　响应“向科学进军”的号召，中国的知识分子、技术人员克服外界封锁的困难，在海外回国的一批半导体学者的带领下，开始建立起自己的半导体产业。

　　1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。在地球的另一边，1959年，在林兰英的带领下，我国冲破西方禁运，仅比美国晚一年拉出了硅单晶。

　　同年，李志坚在清华大学拉出了高纯度多晶硅。1960年，中科院半导体所和河北半导体研究所正式成立，我国的半导体工业体系初步建成。1965年，我国第一块集成电路诞生。

　　1966年，十年动荡开始，但我国的半导体工业建设并未止步。1972年，美国总统尼克松访华后，中国开始从欧美引进技术。这一年，我国自主研制的PMOS大规模集成电路在永川半导体研究所诞生，实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越

　　1．追赶乏力

　　从小规模集成电路起步，经过中规模集成电路，发展到大规模集成电路，就在美国的芯片技术飞速发展之时，中国的追赶开始乏力。

　　在20世纪六七十年代，以中国的精英科学家和军事化研发体制，足以保证“两弹一星”这样的国家级工程顺利完成，但要让芯片产业实现超微细加工技术的不断升级，应对瞬息万变的市场变化，以及达到每年上亿甚至数十亿的产量，遇到了越来越多的障碍。

　　从国际上看，由于集成电路是先进技术，而且与国防军事密切相关，“巴统”对中国长年实行禁运，无论制造设备还是工艺技术，在一个很关键的时期内断绝了中国交流引进的路径。

　　从国内看，20世纪60年代后期，处于“文革”动乱的中国一度采用群众运动的方式全民大搞半导体。当时，报纸上长篇累牍地宣传：街道老太太在弄堂里拉一台扩散炉也能做出半导体。这种违背基本规律的鼓吹，严重冲击了正规工厂的半导体生产研发流程。

　　1968年，北京组建东光电工厂；上海组建无线电十九厂。至1970年建成投产，形成中国集成电路产业中的“南北两霸”。但所谓的“打破尖端迷信”，让造反派对东光电工厂建厂时铺设的水磨石地板进行了大肆批判，导致工厂不敢对产品质量提出起码的要求，甚至把其负责研制的百万次大型电子计算机电路推 倒重来。

　　20世纪70年代初，随着中美关系的缓和，中国开始恢复与西方国家的经济技术交流。事情并不是一帆风顺。1973年，中方一个考察团赴美考察彩色电视机生产线，美方热情接待后赠送考察团代表每人一份工艺精致的玻璃蜗牛小礼品。不曾想“蜗牛”引起始料不及的政治风波，彩电生产线的引进被迫停止。

　　受此影响，中方此前与日本电气股份有限公司谈判引进的一条集成电路生产线也宣告流产，失去了一次引进全套技术的机会。

　　与之形成鮮明对比的是，中国台湾地区的“工研院”1975年向美国购买3英寸晶圆生产线，1977年即建成投产。1978年，韩国电子技术研究所（KIET）从美国购买3英寸晶圆生产线，次年投产。1980年，台湾地区的联华电子建立4英寸晶圆厂。

　　而中国大陆直至1988年オ由上海无线电十四厂与美国贝尔电话合资成立贝岭微电子公司，建设中国大陆第一条4英寸晶圆生产线。那时，在欧美联手封锁压制下中国大陆只能买到二手淘汰设备。

　　值得一提的是，1975年，中国大陆已经完成了动态随机存储器核心技术的研发工作。北京大学物理系半导体教研室由王阳元领导的课题组，完成了三种技术方案，在当时的中科院109厂生产出中国第一块1024位动态随机存储器。这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国要早四五年。