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6月20日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。

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　　据紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

　　《科创板日报》曾于6月4日从供应链独家获悉，紫光集团旗下长江存储64层固态硬盘预计将于今年三季度上市，这意味着长江存储在良率和产能方面取得了具有商业价值的实质进展。

　　存储芯片引领半导体国产替代

　　2018-2020年，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进，在市场份额高度集中的存储芯片市场，国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。

　　财信证券认为，可以从三个层面来理解对国产半导体设备厂商的拉动作用：

　　1、长江存储和合肥长鑫的产线处于产能爬坡过程中，尚存在较大的产能空间，在其产能扩张过程中将有力拉动国产半导体设备厂商释放业绩;

　　2、对党政和行业信创市场的补充作用：国内IT产业链国产化进程积极推进，CPU、GPU、OS等核心环节进展领先存储芯片一个身位，随着内存和闪存芯片的规模化量产，党政信创市场的替换将进入快车道，长江存储闪存芯片技术迭代和产能释放也将为战略合作伙伴的成长提供充足的动力;

　　3、对半导体产业技术跃进的带动作用：从我国半导体产业的角度和市场竞争的角度看，国产半导体加快技术升级和产品迭代是争取市场份额的必要路径，从产业趋势上看，半导体产业的技术跃进已经出现了点点星火，长期看好我国半导体国产化进程。